Tipos de memoria

            PROM:

La PROM es una memoria programable de solo lectura. Estas no vienen programadas de fabrica sino que es el propio usuario es el que se encarga de grabar la información, y una vez que los datos se han grabado no se pueden borrar. Si Grabamos mal alguna información esta no se podrá modificar.

PROM es el acrónimo de Programmable Read-Only Memory (ROM programable). Es una memoria digital donde el valor de cada bit depende del estado de un fusible (o antifusible), que puede ser quemado una sola vez. Por esto la memoria puede ser programada (pueden ser escritos los datos) una sola vez a través de un dispositivo especial, un programador PROM. Estas memorias son utilizadas para grabar datos permanentes en cantidades menores a las ROMs, o cuando los datos deben cambiar en muchos o todos los casos.

EPROM:

Las EPROM se programan insertando el chip en un programador de EPROM. Y aplicando en un pin especial de la memoria una tensión entre 10 y 25 Voltios durante aproximadamente 50ms, según el dispositivo, al mismo tiempo se direcciona la posición de memoria y se pone la información a las entradas de datos. Cuando un dado bit de una celda debe ser cambiado o programado de un 1 a un 0, se hace pasar una corriente a través del canal de transistor desde la fuente hacia la compuerta, Al mismo tiempo se aplica una relativamente alta tensión sobre la compuerta superior o de control del transistor, creándose de esta manera un campo eléctrico fuerte dentro de las capas del material Semiconductor. Ante la presencia de este campo eléctrico fuerte, algunos de los electrones que pasan el canal fuente-compuerta ganan suficiente energía como para formar un túnel y atravesar la capa aislante que normalmente aísla la compuerta flotante.

(ROM borrable programable). Es un tipo de chip de memoria ROM inventado por el ingeniero Dov Frohman que retiene los datos cuando la fuente de energía se apaga. En otras palabras, es no volátil. Está formada por celdas de FAMOS (Floating Gate Avalanche-Injection Metal-Oxide Semiconductor) o transistores de puerta flotante. Cada uno de ellos viene de fábrica sin carga, por lo que es leído como un 0 (por eso una EPROM sin grabar se lee como FF en todas sus celdas). Se programan mediante un dispositivo electrónico que proporciona voltajes superiores a los normalmente utilizados en los circuitos electrónicos. Las celdas que reciben carga se leen entonces como un 1. Una vez programada, una EPROM se puede borrar solamente mediante exposición a una fuerte luz ultravioleta.

SRAM:

SRAM proviene de ("Static Read Aleatory Memory"), lo que traducido significa memoria estática de acceso aleatorio. Se trata de una memoria RAM que tiene la característica de estar construida a base de transistores (a diferencia de la memoria DRAM que la mayoría utilizamos en las computadoras, la cuál esta fabricada a base de capacitores).

     La característica mas importante de la memoria SRAM es que por las propiedades electrónicas del transistor, este no necesita estarse cargando constantemente de electricidad (a diferencia del capacitor de la DRAM, el cuál necesita constantemente recargándose, porque en caso contrario pierde el dato almacenado);  por ello tienden a ser memorias sumamente rápidas y también costosas (ya que es mas caro fabricar un transistor que un capacitor).

  Son memorias físicamente semejantes a las memorias DRAM convencionales (SIMM, DIMM, RIMM, DDR, etc.), que tienen un conector para ser insertadas en una ranura especial para ellas en la tarjeta principal (Motherboard). 

 EAROM:
 EAROM (Electrically Alterable Read Only Memory; Memoria de sólo lectura, alterable eléctricamente). Estas se borran eléctricamente, mediante impulsos siempre idénticas para todas las celdas de memoria. Es importante observar que las EA-ROM, debido a que su tiempo de lectura y escritura difieren bastante (un milisegundo para la escritura y un microsegundo para la lectura), sólo se utilizan cuando basta con memorizar un número reducido de parámetros de vez en cuando pero con poca frecuencia. Para terminar hablaremos de la tecnología de fabricación de las ROM. En las ROM y en las PROM se suele utilizar la técnica bipolar que es más rápida, y que sobre todo, permite la compatibilidad de las ROM y de las PROM a nivel de pins. En las EPROM, RPROM y EA-ROM se utiliza la tecnología MOS (para la EAROM, en concreto se utiliza la MNOS)

DRAM:
DRAM (Dynamic Random Access Memory) es un tipo de tecnología de memoria RAM. La memoria dinámica de acceso aleatorio se usa principalmente en los módulos de memoria RAM y en otros dispositivos, como memoria principal del sistema. Se denomina dinámica, ya que para mantener almacenado un dato, se requiere revisar el mismo y recargarlo, cada cierto período, en un ciclo de refresco. Su principal ventaja es la posibilidad de construir memorias con una gran densidad de posiciones y que todavía funcionen a una velocidad alta: en la actualidad se fabrican integrados con millones de posiciones y velocidades de acceso medidos en millones de bit por segundo. Es una memoria volátil, es decir cuando no hay alimentación eléctrica, la memoria no guarda la información. Inventada a finales de los sesenta, es una de las memorias más usadas en la actualidad.

RDRAM:

La RDRAM es un tipo de memoria síncrona, conocida como Rambus DRAM. Éste es un tipo de memoria de siguiente generación a la DRAM en la que se ha rediseñado la DRAM desde la base pensando en cómo se debería integrar en un sistema.

El modo de funcionar de estas memorias es diferente a las DRAM, cambios producidos en una serie de decisiones de diseño que no buscan solo proporcionar un alto ancho de banda, sino que también solucionan los problemas de granularidad y número de pins. Este tipo de memoria se utilizó en la videoconsola Nintendo 64 de Nintendo y otros aparatos de posterior salida.